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TN2640N3-G P013带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供740 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为220 mA，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds漏极漏极-漏极电阻为5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为4ns，沟道模式为增强。
TN2640N3-G P014带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在15 ns上升时间内提供，器件具有5欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为740 mW，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为220 mA，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TN2-6V是继电器通用DPDT 1A 6V，包括23.3mA线圈电流，它们设计用于非锁定线圈类型，线圈电压如数据表注释所示，用于6VDC，提供DPDT（2表C）等触点形式功能，触点额定电流设计用于1A，以及密封-全功能，该装置也可以用作通孔安装型。此外，操作时间为3ms，该设备采用管式封装，该设备具有继电器类型的通用用途，释放时间为3ms，系列为TN，开关电压为125VAC，110VDC-最大值，终端类型为PC引脚，最小关断电压为0.6 VDC，最大接通电压为4.5 VDC。
