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MKE11R600DCGFC是MOSFET CoolMOS功率MOSFET 600V 15A，包括MKE11R600 DCG系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式特征，商品名设计用于CoolMOS，以及ISOPLUS-i4-5包装箱，该器件也可以用作SiC技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，下降时间为4ns，上升时间为6ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，且Rds导通漏极-源极电阻为165mOhns，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为75ns，且典型接通延迟时间为12ns，且Qg栅极电荷为40nC。
MKE06Z64VLH4是IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64LQFP，包括2.7 V~5.5 V电源Vcc Vdd，它们设计为与64-LQFP（10x10）供应商设备包一起工作，速度如数据表说明所示，用于48MHz，提供Kinetis KE06等系列功能，RAM大小设计为8K x 8，以及FLASH程序存储器类型，该设备还可以用作64KB（64K x 8）程序内存大小。此外，外围设备为LVD、PWM、WDT，该设备采用托盘封装，该设备具有64-LQFP封装外壳，振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~105°C（TA），I/O数量为58，数据转换器为a/D 16x12b、D/a 2x6b，核心尺寸为32位，核心处理器为ARMR CortexR-M0+，连接为CAN、I2C、，SPI，UART/UART。
带有电路图的MKE06Z64VLK4，包括CAN、I2C、SPI、UART/USART连接，它们设计为与ARMR CortexR-M0+核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表注释所示，用于32位，提供a/D 16x12b、D/a 2x6b等数据转换器功能，I/O数量设计为71，其工作温度范围为-40°C~105°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，包装箱为80-LQFP，设备采用托盘包装，设备具有LVD、PWM、外围设备WDT，程序存储器大小为64KB（64K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为8K x 8，系列为Kinetis KE06，速度为48MHz，供应商设备包装为80-LQFP（14x14），电源Vcc Vdd为2.7V ~ 5.5V。
MKE06Z64VQH4带有EDA/CAD型号，包括托盘封装，它们设计用于LVD、PWM、WDT外围设备，系列如数据表说明所示，用于Kinetis KE06，提供振荡器类型功能，如内部，程序存储器类型设计用于FLASH，以及CAN、I2C、SPI、UART/USART连接，该设备也可以用作ARMR CortexR-M0+核心处理器。此外，数据转换器为A/D 16x12b，D/A 2x6b，设备提供8K x 8 RAM大小，设备具有64-QFP封装盒，供应商设备封装为64-LQFP（10x10），程序内存大小为64KB（64K x 8），I/O数量为58，速度为48MHz，工作温度范围为-40°C ~ 105°C（TA），核心大小为32位，电源Vcc-Vdd为2.7V~5.5V。
