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DN3545N8-G是MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.001862盎司单位重量的情况下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-243AA等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-243AA（SOT-89）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为1.6W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为450V，输入电容Cis-Vds为360pF@25V，FET特性为耗尽模式，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Tj），最大Id Vgs的Rds为20 Ohm@150mA，0V，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为200mA，Vds漏极-源极击穿电压为450V，Rds导通漏极-漏极电阻为20欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为耗尽。
DN3545N3-G P013，带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于450 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为30 ns，器件的漏极电阻为20欧姆，Pd功耗为740 mW，封装为卷轴，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为136 mA，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
DN3545N3-G P014，带有电路图，包括耗尽通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于40 ns，提供连续漏电流特性，如136 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为740 mW，Rds漏极-源极电阻为20欧姆，上升时间为30 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为30纳秒，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为450V，Vgs栅极-源极电压为20V。
