9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的SIDEGIG-PROTOEVM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIDEGIG-PROTOEVM价格参考118.80000美元。德州仪器SIDEGIG-PROTOEVM包/规范：开发接口。您可以下载SIDEGIG-PROTOEVM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIDC81D120F6是DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER，包括散装封装，它们设计为与裸片封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如箔上锯，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作27μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.1V@100A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有100A（DC）电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SIDC81D120H6是DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER，包括1.6V@150A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于锯箔的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及模具封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有27μa@1200V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为150A（DC）。
SIDC85D170H是DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER，包括150A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1700V电流反向泄漏Vr下工作27μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备采用Sawn on foil Supplier device Package提供，该设备具有1700V（1.7kV）的直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.8V@150A。
SIDC81D60E6是DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER，包括表面安装安装型，设计用于在标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度下运行，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供供应商设备封装功能，如箔上锯，封装盒设计用于模具，以及散装包装，该器件也可作为600V电压DC反向Vr Max使用，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件在600V电流反向泄漏Vr时为27μA，该器件具有200A（DC）的平均整流电流Io，正向电压Vf Max If为1.25V@200A。
