9icnet为您提供NXP USA Inc.设计和生产的PQ-MDS-PCIEXP，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PQ-MDS-PCIEXP参考价格为61.4208美元。NXP USA Inc.PQ-MDS-PCIEXP包装/规格：PCI扩展器适配器。您可以下载PQ-MDS-PCIEXP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PQMD16Z，带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）包装，数据表注释中显示了用于6-XFDFN暴露垫的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DFN1010B-6以及350mW最大功率，该设备也可以用作1 NPN，1 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集流器Ic Max为100mA，该器件提供50V电压集流器-发射极击穿最大值，该器件具有22k电阻器基极R1欧姆，电阻器-发射极基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为150mV@500μa，10mA，且集流器截止最大值为1μa，频率转换为230MHz、180MHz。
PQMD2Z带有用户指南，其中包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在150mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如DFN1010B-6，系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及22k电阻器发射极基极R2欧姆，该器件也可以用作22k电阻器基极R1欧姆。此外，最大功率为230mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有6-XFDFN封装外壳暴露垫，安装类型为表面安装，频率转换为230MHz、180MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@5mA、5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为1μa。
PQMD3Z带有电路图，包括1μA集电器最大截止电流，设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于30@5mA，5V，具有230MHz，180MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及6-XFDFN暴露焊盘封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，功率最大值为230mW，器件提供10k电阻基极R1欧姆，器件具有10k电阻发射极基极R2欧姆，系列为AEC-Q101汽车系列，供应商器件包为DFN1010B-6，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为150mV@500μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
