9icnet为您提供由AMD Xilinx设计和生产的UP-S6-EMBD-CONN-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UP-S6-EMBD-CONN-G参考价格为105.173754美元。AMD Xilinx UP-S6-EMBD-CONN-G包装/规格：KIT EVAL SPARTAN 6。您可以下载UP-S6-EMBD-CONN-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UPS6150/TR13带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-216AA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如Powermite，Speed设计用于快速恢复=20mA（Io），以及肖特基二极管类型，该器件还可以用作100μA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为750mV@6A，该设备提供150V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有6A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
带有用户指南的UPS6150E3/TR13，包括750mV@6A正向电压Vf Max，如果设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于Powermite的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及DO-216AA包装箱中工作，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有100μa@150V的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为6A。
带有电路图的UPS615E3/TR13，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在4mA@15V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，以及DO-216AA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在Powermite供应商设备包中提供，该设备具有15V的电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为320mV@6A。
