9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的GBI35D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBI35D价格参考1.37540美元。Diotec Semiconductor GBI35D封装/规格：1PH BRIDGE 30X20X3.6 200V 35A。您可以下载GBI35D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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403I35A40M00000，带引脚细节，包括403系列，设计用于MHz晶体类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供SMD/SMT等安装类型功能，终端类型设计用于SMD/SMT，工作温度范围为-40 C至+85 C，该设备也可以用作0.031“（0.80mm）高。此外，长度为3.2mm，设备宽度为2.5mm，该设备具有4-SMD，无引线（DFN，LCC）封装外壳，频率为40MHz，工作模式为基本模式，工作温度范围为-40°C~85°C，安装类型为表面安装，尺寸尺寸为0.126”L x 0.098”W（3.20mm x 2.50mm），负载电容为10pF，公差为30 PPM，ESR等效串联电阻为60欧姆，频率稳定性为±50ppm，频率公差为±30ppm，ESR为60欧姆。
403I35B40M00000带用户指南，包括2.5 mm宽，设计用于MHz晶体类型，公差显示在数据表注释中，用于30 PPM，提供SMD/SMT等终端类型功能，尺寸尺寸设计用于0.126“L x 0.098”W（3.20mm x 2.50mm），以及403系列，该设备也可用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为4-SMD，无引线（DFN，LCC），其工作温度范围为-40℃至+85℃，工作温度范围-40℃至85℃，工作模式为基本模式，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，负载电容为13pF，长度为3.2 mm，高度为0.031英寸（0.80mm），频率公差为±30ppm，频率稳定性为±50ppm，频率为40MHz，ESR等效串联电阻为60欧姆，ESR为60欧姆。
403I35A30M00000是CTS制造的30MHz 30ppm 10pF-40C+85C晶体。403I35A30M00000采用3.2 mm x 2.5 mm封装，是晶体的一部分，支持30MHz 30ppm 10pF-40C+85C晶体。
