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NTE4151PT1G是MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89，包括NTE4151P系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-89、SOT-490以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SC-89-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为313mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为156pF@5V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为760mA（Tj），最大Id Vgs上的Rds为360mOhm@350mA，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.1nC@4.5V，Pd功耗为313mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.2 ns，上升时间为8.2ns，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为-760mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为490mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型导通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为0.4S，信道模式是增强。
NTE4153NT1G是MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在6 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供单位重量功能，如0.001058 oz，典型开启延迟时间设计为3.7 ns，以及25 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SC-89-3，系列为NTE4153N，上升时间为4.4ns，Rds On Max Id Vgs为230mOhm@600mA，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为500mOhm，功率最大值为300mW，Pd功耗为300mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SC-89、SOT-490，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为110pF@16V，Id连续漏极电流为915mA，栅极电荷Qg Vgs为1.82nC@4.5V，正向跨导Min为1.4S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为4.4ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为915mA（Ta），并且配置为单一，信道模式为增强。
NTE4是Neutrik制造的电力变压器TRANSFRMER AUD INPUT 1:4 RATIO。是电力变压器的一部分，并支持电力变压器TRANSFRMER AUD INPUT 1:4 RATIO。
