9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的GI751，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。GI751参考价格为0.87000美元。NTE Electronics，Inc GI751封装/规格：R-100 PRV 6A。您可以下载GI751英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI510-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.038801盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计为在DO-201AD、轴向、，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@9.4A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为28pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，在9.4 A时Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2000ns。
GI750-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 6A P600，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在900 V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的直流反向Vr Max，该50V提供了100 a时1.25 V的正向电压特性，单位重量设计为0.074075盎司，以及P600供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2.5μs，该设备的恢复时间为2500 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为P600，轴向，其工作温度接合范围为-50°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-50 C，最大浪涌电流为400 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为6A，配置为单一，电容Vr F为150pF@4V，1MHz。
GI750-E3/73是DIODE GEN PURP 50V 6A P600，包括150pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单一配置，数据表注释中显示了用于6A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@50V，二极管类型设计用于标准，以及6 a如果正向电流，该设备也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该设备提供400 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-50℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其工作温度接合范围为-50℃~150℃，包装箱为P600，轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，产品为标准恢复整流器，恢复时间为2500 ns，反向恢复时间trr为2.5μs，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为P600，单位重量为0.074075 oz，100A时Vf正向电压为1.25 V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为900mV@6A，Vr反向电压为50V。
GI5160L16-7TC，带有GLT制造的EDA/CAD模型。GI5160L16-7TC在TSOP包中提供，是内存的一部分。
