9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI754-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI754-E3/73参考价格为0.424美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI754-E3/73包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 6A P600。您可以下载GI754-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI754-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 6A P600，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.074075盎司，具有通孔等安装方式特征，其工作温度范围为-50 C至+150 C，以及P600，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为P600，设备为单配置，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为900mV@6A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为150pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，100A时Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6A，最大浪涌电流为400A，恢复时间为2500ns。
GI752-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 6A P600，包括200 V Vr反向电压，它们设计为在900 V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，其提供了100 a时1.25 V的正向电压特性，单位重量设计为0.074075盎司，以及P600供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2.5μs，该设备的恢复时间为2500 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为P600，轴向，其工作温度结范围为-50°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-50℃，最大浪涌电流为400 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为6A，配置为单一，电容Vr F为150pF@4V，1MHz。
GI752-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 6A P600，包括150pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表说明中显示了用于6A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@200V，二极管类型设计用于标准，以及6 a如果正向电流，该设备也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该设备提供400 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-50℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其工作温度接合范围为-50℃~150℃，包装箱为P600，轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，产品为标准恢复整流器，恢复时间为2500 ns，反向恢复时间trr为2.5μs，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为P600，单位重量为0.074075 oz，100A时Vf正向电压为1.25 V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为900mV@6A，Vr反向电压为200V。
