9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的1S953（3）-T2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1S953（3）-T2参考价格为0.09000美元。Renesas Electronics America Inc 1S953（3）-T2封装/规格：高速开关二极管。您可以下载1S953（3）-T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1S953（3）-T2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1S921TR是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，该设备提供100V直流反向电压Vr Max，该设备具有200mA的电流平均整流Io。
1S922TR是DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35，包括1.2V@200MA电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供100nA@150V电流反向泄漏Vr，该器件具有200mA电流平均整流Io。
1S923TR是DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35，包括200MA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作小信号＝速度。此外，供应商设备包为DO-35，该设备提供200V电压DC反向Vr Max，该设备具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If。
1S953，带有NEC制造的EDA/CAD模型。1S953采用D0-35封装，是IC芯片的一部分。
