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MBR20100是二极管肖特基100V TO220AC,包括管封装,它们设计用于to-220-2封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如to-220AC,速度设计用于快速恢复=20mA(Io),以及肖特基二极管类型,该器件也可以用作1mA@100V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为880mV@20A,该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有400pF@5V,1MHz电容Vr F,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
MBR20080CT是肖特基二极管和整流器SI PWR Schottky 2TWR 20-100V 200A 80P56RV,包括80V Vrm重复反向电压,它们设计为在0.88V Vf正向电压下工作。数据表说明中显示了用于SI的技术,提供了MBR200等系列功能。产品设计用于肖特基二极管以及散装包装,该设备也可以用作模块封装盒。此外,安装类型为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为1 uA,Ifsm正向浪涌电流为1500 A,如果正向电流为200 A。
MBR20080CTR是肖特基二极管和整流器SI PWR Schottky 2TWR 20-100V 200A 80P56RV,包括200 A正向电流,设计用于1500 A Ifsm正向浪涌电流,Ir反向电流如数据表注释所示,用于1 uA,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-40 C,以及SMD/SMT安装样式,该器件也可以用作模块封装盒。此外,封装为散装,该器件为肖特基二极管产品,该器件具有MBR200系列,技术为硅,Vf正向电压为0.88V,Vrm重复反向电压为80V。
MBR2010+0CT,带有TSC制造的EDA/CAD模型。MBR2010+0CT采用TO220封装,是IC芯片的一部分。