9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB60100C-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB60100C-E3/8W价格参考2.79000美元。Vishay General Semiconductor-二极管分部VB60100C-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基100V TO263。您可以下载VB60100C-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB526SPTR-E是集成电路点火线圈驱动器POWERSO1，包括VB526SP-E系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于PowerSO-10外露底部衬垫的包装盒，该衬垫具有非反转等输入型功能，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），以及双极输出型，该设备也可以用作状态标志特征。此外，该接口是并行的，该设备在10 PowerSO供应商设备包中提供，该设备具有1899/12/30 1:01:00的输入/输出比，输出数为1，电压供应Vcc Vdd为4.5 V ~ 5.5 V，故障保护为过温、过电压，输出配置为低侧，电压负载为30V（最大值），最大电流输出为100mA，开关类型为通用型。
VB60100C-E3/4W是肖特基二极管和整流器30 AMP 120 VOLT双沟道MOS，包括100 V Vrm重复反向电压，它们设计为在30 a Vf正向电压下以0.79 V工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供商标特征，如TMBS，技术设计用于硅，以及肖特基整流器产品，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为D2PAK（TO-263AB），该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1000 uA，Ifsm正向浪涌电流为320 A，If正向电流为60 A，配置为双公共阴极。
VB60100C，带有VISHAY制造的电路图。VB60100C采用TO263封装，是二极管、整流器阵列的一部分。
