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MBR2045EMFST1G（带引脚细节），包括MBR2045EM FST1G系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如MBR2045E FST3G，单位重量设计为0.017870盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作8-PowerTDFN、5引线封装盒。此外，安装类型为表面安装，该器件采用5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）供应商器件封装，该器件具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为400μa@45V，电压正向Vf Max If为640mV@20A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为20A，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.51 V，Vr反向电压为45 V，Ir反向电流为100 mA，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为45V，Ifsm正向浪涌电流为400A。
带用户指南的MBR2045EMFST3G，包括640mV@20A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于MBR2045EM FS以及MBR2045E FST1G零件别名，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为8-PowerTDFN，5引线，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为400μa@45V，电流平均整流Io为20A。
MBR2045F是MHCHXM制造的二极管肖特基20A 45V ITO220AB。MBR2045F采用TO-220F封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持二极管肖特基20A 45V ITO220AB。
