9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBRB1090CT-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB1090CT-E3/4W参考价格为0.59961美元。Vishay General Semiconductor-二极管事业部MBRB1090CT-E3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基90V TO263AB。您可以下载MBRB1090CT-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB1060-E3/81是DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB，其中包括肖特基整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于MBRB1060-E3/45，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，安装类型为表面安装，该器件在TO-263AB供应商器件包中提供，该器件具有单双阴极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@60V，电压正向Vf Max If为800mV@10A，电压直流反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为10A，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，在20 A时Vf正向电压为0.95 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为60 V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
MBRB1060HE3/81是DIODE SCHOTKY 60V 10A TO263AB，包括60V Vrm重复反向电压，它们设计为在800V@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表中显示了60V中使用的直流反向电压Vr Max，它提供了20 a时0.95 V的正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为10 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@60V，电流平均整流Io为10A，配置为单双阴极。
MBRB1060HE3/45是二极管肖特基60V 10A TO263AB，包括单双阴极配置，设计用于10A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@60V，提供二极管类型的特性，如肖特基，如果正向电流设计用于10A，以及150 a Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作100 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~150°C，封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，技术为Si，单位重量为0.048678 oz，20 A时Vf正向电压为0.95 V，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为800mV@10A，Vrm重复反向电压为60V。
MBRB1060TR，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，除了D2PAK供应商设备包外，该设备还可以用作800mV@10A正向电压Vf Max If。此外，电压DC反向Vr Max为60V，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该设备具有400pF@5V，1MHz电容Vr F，电流反向泄漏Vr为1mA@60V。
