9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBAT54SWT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVBAT54SWT1G参考价格为0.48000美元。onsemi NSVBAT54SWT1G包装/规格：二极管阵列肖特基30V SOT323。您可以下载NSVBAT54SWT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVBAT54HT1G是DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD323，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.001164盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SC-76、SOD-323包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-323供应商设备包中提供，该设备具有小信号=速度，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@25V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为10pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.35V，如果正向电流为200mA，Vrm重复反向电压为30V，trr反向恢复时间为5ns。
NSVBAT54LT1G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3，包括30V Vrm重复反向电压，它们设计为在800mV@100mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表说明中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max，其提供了800mV正向电压特性，如800mV，trr反向恢复时间设计为5 ns，以及Si技术，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，速度为小信号=，该设备为BAT54L系列，该设备具有5ns的反向恢复时间trr，Pd功耗为200mW，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为2 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 mA，Ifs正向电流为200 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μA@25V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为10pF@1V，1MHz。
带有电路图的NSVBAT54M3T5G，包括10pF@1V、1MHz电容Vr F，它们设计用于200mA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@25V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~125°C，该器件也可以用作SOT-723封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供5ns反向恢复时间trr，该设备具有BAT54M3T5G系列，速度为小信号=，供应商设备包装为SOT-723，电压DC反向Vr最大值为30V，电压正向Vf最大值为800mV@100mA。
