9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GIB2404HE3_A/P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GIB2404HE3_A/P价格参考1.13850美元。Vishay General Semiconductor-二极管事业部GIB2404HE3_A/P封装/规格：二极管阵列GP 200V 16A TO263AB。您可以下载GIB2404HE3_A/P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GIB1403HE3/81是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为在to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备的快速恢复速度为200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，正向电压Vf Max If为975mV@8A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为35ns，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.975 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为35 ns。
GIB1404HE3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB，包括200V Vr反向电压，它们设计为以975mV@8A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了200V中使用的直流反向电压Vr Max，提供0.975 V等正向电压特性，单位重量设计为0.056438盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以35ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为8A，并且配置为单双阴极。
GIB1404-E3/81是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB，包括单双阴极配置，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计为8 a，以及5 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为125 A，最小工作温度范围是-65℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~150℃，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为磁带和卷轴（TR），产品为超快恢复整流器，恢复时间为35ns，反向恢复时间trr为35ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，单位重量为0.056438 oz，Vf正向电压为0.975 V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为975mV@8A，Vr反向电压为200V。
GIB1404HE3/81是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB，包括TO-263AB供应商设备包，它们设计用于TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA封装盒，数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供了表面安装等安装类型功能，除了快速恢复=200mA（Io）速度外，该器件还可以用作975mV@8A正向电压Vf Max If。此外，电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，该器件在200V时电流反向泄漏Vr为5μa，反向恢复时间trr为35ns，电压直流反向Vr Max为200V。
