9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB60120C-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB60120C-E3/4W价格参考1.38600美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VB60120C-E3/4W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB。您可以下载VB60120C-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB60100C-E3/4W是肖特基二极管和整流器30 AMP 120 VOLT双沟道MOS，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TMBS，以及D2PAK（to-263AB）封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，该配置为双共阴极，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压在30 A时为0.79 V，Ir反向电流为1000 uA，如果正向电流为60 A，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为320 A。
VB60100C-E3/8W是二极管阵列肖特基100V TO263，包括100V Vrm重复反向电压，它们设计为在30A Vf正向电压下以0.79V工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供商标特征，如TMBS，技术设计用于硅，以及肖特基整流器产品，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为D2PAK（TO-263AB），该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1000 uA，Ifsm正向浪涌电流为320 A，If正向电流为60 A，配置为双公共阴极。
VB60100C-M3/4W，带有Vishay制造的电路图。是二极管、整流器-单个的一部分，并支持“肖特基二极管和整流器60A、二极管肖特基100V 60A 3引脚（2+Tab）TO-263AB管、肖特基二极管与整流器60A，100V，TRENCH SKY RECT”。。
VB60100C-M3/8W，带有Vishay制造的EDA/CAD模型。是二极管、整流器-单体的一部分，并支持“肖特基二极管和整流器60A、二极管阵列1对公共阴极肖特基100V 30A表面安装TO-263-3、D？Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、二极管肖特基100A 60A 3-Pin（2+接线片）TO-263AB/R、肖特基二极管与整流器60A，100V、TRENCH SKY RECT。。
