9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBR1090CT-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR1090CT-E3/4W参考价格0.63888美元。Vishay General Semiconductor-二极管事业部MBR1090CT-E3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基90V TO220AB。您可以下载MBR1090CT-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBR1080G是二极管肖特基80V 10A TO220-2，包括开关模式？系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-220-2供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@80V，电压正向Vf Max If为800mV@10A，电压反向Vr Max为80V，电流平均整流Io为10A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-65 C，在20 A时Vf正向电压为0.95 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为80 V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
MBR1090是DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220-2，包括800mV@10A正向电压Vf Max。如果它们设计用于90V直流反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于to-220-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计用于SWITCHMODE？，除了管封装外，该器件还可以用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@90V，电流平均整流Io为10A。
MBR1080CT是由GS制造的二极管阵列1对公共阴极肖特基80V通孔TO-220-3。MBR1080T以TO-220封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持二极管阵列1双公共阴极肖特基80V通洞TO-220-3。
MBR1080FCT，带有MCC制造的EDA/CAD模型。MBR1080FCT采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
