9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBAV70TT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVBAV70TT1G价格参考0.06487美元。onsemi NSVBAV70TT1G包装/规格：二极管阵列SW 100V 100MA SC75。您可以下载NSVBAV70TT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVBAT54WT1G是二极管肖特基30V 200MA SOT323，包括汽车系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.004395盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SC-70、SOT-323包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-323供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@25V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为10pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~125°C，Pd功耗为200W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，100 mA时Vf正向电压为0.52 V，并且Ir反向电流为2uA，并且如果正向电流为200mA，并且Vrm重复反向电压为30V，并且Ifsm正向浪涌电流为600mA，并且trr反向恢复时间为5ns。
NSVBAT54LT1G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3，包括30V Vrm重复反向电压，它们设计为在800mV@100mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表说明中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max，其提供了800mV正向电压特性，如800mV，trr反向恢复时间设计为5 ns，以及Si技术，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，速度为小信号=，该设备为BAT54L系列，该设备具有5ns的反向恢复时间trr，Pd功耗为200mW，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为2 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 mA，Ifs正向电流为200 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μA@25V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为10pF@1V，1MHz。
NSVBAT54SWT1G是肖特基二极管和整流器SS SHKY DIO 30V TR，包括双配置，它们设计为在200mA的情况下工作。如果正向电流、Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于600mA，提供Ir反向电流功能，如2 uA，其最大工作温度范围为+125 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，包装箱为SOT-323-3，该设备采用卷筒包装，该设备具有200 W的Pd功耗，产品为肖特基二极管，系列为BAT54SW，技术为Si，trr反向恢复时间为5 ns，单位重量为0.004395 oz，100 mA时Vf正向电压为0.52 V，Vrm重复反向电压为30 V。
NSVBAT54M3T5G，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了SOT-723中使用的封装盒，提供供应商设备封装功能，如SOT-723，Speed设计用于小信号=，以及肖特基二极管型，该设备也可以用作BAT54M3T5G系列。此外，正向电压Vf Max If为800mV@100mA，该器件以5ns反向恢复时间trr提供，其工作温度结范围为-55°C ~ 125°C，直流反向电压Vr Max为30V，反向泄漏电流Vr为2μA@25V，平均整流电流Io为200mA（DC），电容Vr F为10pF@1V，1MHz。
