GD2X30MPS06D
- 描述:二极管种类: 碳化硅肖特基 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 600 V 单二极管整流平均值 (Io): 30A (DC) 供应商设备包装: TO-247-3 工作结温: 175摄氏度
- 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 75.18130 | 75.18130 |
| 10+ | 67.54004 | 675.40043 |
| 25+ | 64.72834 | 1618.20872 |
| 100+ | 60.70564 | 6070.56420 |
| 250+ | 60.29714 | 15074.28575 |
- 库存: 0
- 单价: ¥84.59707
-
数量:
- +
- 总计: ¥75.18
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 二极管架构（配置） 1对公共阴极
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 最大直流反向电压 (Vr) 600 V
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 二极管种类 碳化硅肖特基
- 速度 无恢复时间>500毫安（Io）
- 反向恢复时长 (trr) 0纳秒
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 -
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 工作结温 175摄氏度
- 单二极管整流平均值 (Io) 30A (DC)
- 特点 -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | GD25Q80EEIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥4.11035 |
| GD25Q16ETIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥1.44279 |
| GD25LQ32ENIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-USON (4x3) | ¥8.01934 |
 | GD25Q64CYIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8) | ¥8.43291 |
 | GD25LX256EBIRY | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥39.25652 |
 | GD25LD20CEIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥2.32164 |
 | GD25LD40CTIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SOP | ¥2.32164 |
| GD25Q80ESIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥2.4481 |
 | GD25WD05CEIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥2.74506 |
 | GD25WD20CTIGR | 兆易创新 (GigaDevice) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 8-SOP | ¥3.48021 |
GD2X30MPS06D所属分类：二极管/整流器阵列，GD2X30MPS06D 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GD2X30MPS06D价格参考￥84.597072，你可以下载 GD2X30MPS06D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GD2X30MPS06D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
基因半导体公司 (GeneSiC)
GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者，同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。
