9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR2X100A180，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR2X100A180参考价格为61.03000美元。GeneSiC半导体MBR2X100A180封装/规格：DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227。您可以下载MBR2X100A180英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR2H200SFT1G，带引脚细节，包括肖特基整流器产品，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.000363盎司，提供SMD/SMT等安装式功能，包装箱设计为适用于SOD-123F，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FL，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@200V，电压正向Vf Max If为940mV@2A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.94 V，Ir反向电流为200 uA；如果正向电流为2 A，Vrm重复反向电压为200 V，Ifsm正向浪涌电流为30 A。
MBR2H100SFT3G是DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL，包括100V Vrm重复反向电压，它们设计为以840mV@2A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，提供单位重量功能，如0.000413盎司，技术设计用于Si，以及SOD-123FL供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MBR2H100SF，该器件为肖特基整流器产品，该器件具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOD-123F，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-65C，它的最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为0.5 mA，Ifsm正向浪涌电流为50 A，如果正向电流为2 A，二极管类型为肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为40μA@100V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
带电路图的MBR2H200SFT3G，包括2 A正向电流，其设计为在30 A Ifsm正向浪涌电流下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于2 mA，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及卷筒包装，该器件也可以用作Si技术。此外，Vf正向电压为940 mV，该器件提供200 V Vrm重复反向电压。
MBR28045V，带有MOT制造的EDA/CAD模型。MBR28045V在模块包中提供，是模块的一部分。
