9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBR3035PT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR3035PT-E3/45参考价格为1.50247美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MBR3035PT-E3/45封装/规格：二极管阵列肖特基35V TO220AB。您可以下载MBR3035PT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBR3035CT是二极管阵列肖特基35V TO220AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于C0的零件别名，C0提供单位重量功能，例如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，该配置为双共阴极，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.82 V，Ir反向电流为200 uA，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为200 A。
MBR3035PT是二极管阵列肖特基35V TO247AD，包括35V Vrm重复反向电压，设计用于0.76VVf正向电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.194289盎司，提供硅等技术特性，产品设计用于肖特基整流器，以及管封装，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1000 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，如果正向电流为30 A，则配置为双公共阴极。
MBR3035G，带有MOT制造的电路图。MBR3035G采用CAN封装，是IC芯片的一部分。
