9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR200100CT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR200100CT参考价格90.13800美元。GeneSiC半导体MBR200100CT封装/规格：二极管模块100V 200A 2功率。您可以下载MBR200100CT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR1H100SFT3G是DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL，包括MBR1H100 SF系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000413盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123F封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123FL供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为40μa@100V，电压正向Vf Max If为760mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为100 V。
带用户指南的MBR180S1-7，包括800mV@1A电压正向Vf Max，如果设计为在80V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如SOD-123中使用的数据表注释所示，提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，包装设计为在Digi-ReelR备用包装中工作，以及SOD-123包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有5μa@80V的反向电流泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为20pF@5V，1MHz。
MBR19TQ015S-G-T4，电路图由SSG制造。MBR19TQ015S-G-T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
