9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVMMBD352WT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVMMBD352WT1G参考价格为0.46000美元。onsemi NSVMMBD352WT1G包装/规格：二极管阵列肖特基7V SOT323。您可以下载NSVMMBD352WT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVMBD770DW1T1G，带有引脚细节，包括MBD770DW系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的包装盒，该产品提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363，以及小信号=速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为200nA@35V，该器件提供500mV@1mA电压正向Vf Max If，该器件具有70V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为100mA，电容Vr F为1pF@20V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
带有用户指南的NSVMBT3904DW1T3G，包括40V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在300mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，功率最大值设计为150mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该装置也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备提供300MHz频率转换，该设备具有100@10mA、1V直流电流增益hFE最小Ic-Vce，集电器最大Ic为200mA。
NSVMBD54DWT1G，带有ON Semiconductor制造的电路图。是二极管、整流器-单个的一部分，并支持肖特基二极管和整流器小信号肖特基二极管阵列2独立肖特基30V 200mA表面安装6-TSSOP、SC-88、SOT-363、二极管肖特基0.2A 6引脚SOT-363T/R。
