9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBR30H100PT/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR30H100PT/45参考价格$1.826。Vishay General Semiconductor-二极管部门MBR30H100PT/45封装/规格：二极管阵列肖特基100V TO3P。您可以下载MBR30H100PT/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBR30H100MFST1G，带引脚细节，包括MBR30H200MFS系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于MBR30H1 00MFST3G的零件别名，该产品提供封装盒功能，如8-PowerTDFN、5引线，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）供应商器件包。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为肖特基二极管类型，该器件在100V时具有100μa的电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为900mV@30A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为30A，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为900 mV，Ir反向电流为15 mA，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为300 A。
带用户指南的MBR30H100MFST3G，包括900mV@30A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了供应商设备包，用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。该系列设计用于MBR30H1 00MFS以及MBR30H 100MFST1G零件别名，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为8-PowerTDFN，5引线，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@100V，电流平均整流Io为30A。
MBR30H100G，带有ON制造的电路图。MBR30H1 00G采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
MBR30H100PT，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。MBR30H100PT采用TO-247封装，是二极管、整流器阵列的一部分。
