9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UHB20FCT-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UHB20FCT-E3/4W价格参考0.788466美元。Vishay通用半导体-二极管事业部UHB20FCT-E3/4W封装/规格：二极管阵列GP 300V 10A TO263AB。您可以下载UHB20FCT-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UHB10FT-E3/8W是DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.062435盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A，电压直流反向Vr Max为300V，电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为300 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为180 A，恢复时间为35 ns。
UHB10FT-E3/4W是DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB，包括300 V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于300V的直流反向电压Vr Max，该300V提供1.2 V的正向电压特性，单位重量设计为0.062435盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以35ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为180 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为10 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@300V，电流平均整流Io为10A，配置为单一。
UHA1H6R8MHD是CAP ALUM 6.8UF 20%50V RADIAL，包括通用应用，它们设计为在6.8μF电容下工作，数据表注释中显示了1.437“（36.50mm）的最大高度，具有0.295”（7.50mm）等引线间距功能，安装类型设计为在通孔中工作，其工作温度范围为-25°C~85°C，该设备也可以用作径向、罐包装箱。此外，包装为散装，该设备提供双极极化，该设备具有系列HA，尺寸尺寸为0.630“直径（16.00mm），公差为±20%，额定电压为50V。
UHB20FCT，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。UHB20FCT采用TO263封装，是二极管、整流器阵列的一部分。
