9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR120150CTR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR120150CTR参考价格为0.888美元。GeneSiC半导体MBR120150CTR封装/规格:DIODE SCHOTTKY 150V 60A 2塔。您可以下载MBR120150CTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR12030CT是肖特基二极管和整流器30V 120A肖特基恢复,包括MBR120系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表说明所示,用于散装,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于模块,以及硅技术,它的最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-40℃,器件的正向电压为0.75 V Vf,器件的Ir反向电流为1 uA,如果正向电流为120 a,Vrm重复反向电压为30 V,Ifsm正向浪涌电流为800 a。
MBR12030CTR是肖特基二极管和整流器30V 120A肖特基恢复,包括30V Vrm重复反向电压,它们设计为在0.75 V Vf正向电压下工作,数据表说明中显示了用于Si的技术,提供了MBR120等系列功能,产品设计用于肖特基二极管,以及散装包装,该设备也可以用作模块封装盒。此外,安装类型为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为1 uA,Ifsm正向浪涌电流为800 A,如果正向电流为120 A。
MBR12020CT是肖特基二极管和整流器20V 120A肖特基恢复,包括120 A正向电流,设计用于800 A Ifsm正向浪涌电流,Ir反向电流如数据表注释所示,用于1 uA,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-40 C,以及SMD/SMT安装样式,该器件也可以用作模块封装盒。此外,封装为散装,该器件为肖特基二极管产品,该器件具有MBR120系列,技术为Si,Vf正向电压为0.7V,Vrm重复反向电压为20V。
MBR12020CTR是肖特基二极管和整流器20V 120A肖特基恢复型,包括SMD/SMT安装型,它们设计用于使用硅技术。产品如数据表说明所示,用于肖特基二极管,提供封装外壳功能,如模块、系列设计用于MBR120,以及散装封装,该器件也可以用作800A Ifsm正向浪涌电流。此外,Vrm重复反向电压为20 V,设备提供120 A。如果正向电流,设备具有1 uA的Ir反向电流,Vf正向电压为0.7 V,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-40 C。