9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRF20060，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRF20060价格参考1.65美元。GeneSiC半导体MBRF20060封装/规格：二极管肖特基60V 100A TO244AB。您可以下载MBRF20060英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRF16H45-E3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.090478盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-220-2全封装、隔离片以及Si技术，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为ITO-220AC，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@45V，电压正向Vf Max If为660mV@16A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为16A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+175°C，最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.66 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为16 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBRF16H45HE3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计为以660mV@16A正向电压Vf Max运行。如果数据表备注中显示了用于45V的直流反向电压Vr Max，该45V提供了0.66 V等正向电压特性，该设备也可以用作ITO-220AC供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为肖特基整流器产品，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-2全封装，隔离接线片，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-65C，它的最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为100 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为16 A，二极管类型为肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为100μA@45V，电流平均整流Io为16A，配置为单一。
MBRF16H60-E3/45是DIODE SCHOTTKY 60V 16A ITO220AC，包括单一配置，它们设计用于16A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@60V，提供二极管类型功能，如肖特基（SCHOTTKY），如果正向电流设计用于16A，以及150 a Ifsm正向浪涌电流，该设备也可作为100 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，该设备有一个安装类型的通孔，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，包装箱为TO-220-2全包装，隔离标签，包装为管，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为ITO-220AC，技术为Si，单位重量为0.090478 oz，Vf正向电压为0.73 V，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为730mV@16A，Vrm重复反向电压为60 V。
MBRF16H60HE3/45是DIODE SCHOTTKY 60V 16A ITO220AC，包括管式封装，设计用于to-220-2全包、隔离凸片封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供安装类型功能，如通孔，配置设计用于单孔，以及Si技术，该器件也可用作肖特基整流器产品。此外，二极管类型为肖特基二极管，该器件在ITO-220AC供应商器件包中提供，该器件的速度快速恢复=200mA（Io），电压正向Vf Max If为730mV@16A，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，电压直流反向Vr Max为60V，Vrm重复反向电压为60 V，电流平均整流Io为16A，如果正向电流为16 A，Ifsm正向浪涌电流为150 A，电流反向泄漏Vr为100μA@60V，Ir反向电流为100μA，Vf正向电压为0.73 V，单位重量为0.090478盎司，则其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围为-65 C。
