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BYG21M-E3/TR

  • 描述:二极管种类: 雪崩光电 最大直流反向电压 (Vr): 1000伏 整流平均值 (Io): 1.5A 反向恢复时长 (trr): 120纳秒 供应商设备包装: DO-214AC(SMA) 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.18899 1.18899
30+ 1.04296 31.28889
100+ 0.91489 91.48940
500+ 0.77436 387.18350
1000+ 0.70397 703.97400
  • 库存: 1180
  • 单价: ¥0.69459
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.19
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 速度 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io)
  • 安装类别 表面安装
  • 二极管种类 雪崩光电
  • 最大直流反向电压 (Vr) 1000伏
  • 电容@Vr、法数 -
  • 包装/外壳 DO-214AC,SMA
  • 工作结温 -55摄氏度~150摄氏度
  • 供应商设备包装 DO-214AC(SMA)
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 反向漏电流 @ 直流反向电压 1.A@1000伏
  • 整流平均值 (Io) 1.5A
  • 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.6伏@1.5安
  • 反向恢复时长 (trr) 120纳秒
  • 特点 -
  • 种类 -

BYG21M-E3/TR 产品详情

BYG21M-E3/TR是一个表面安装的整流二极管,带有哑光镀锡引线端子,UL94V-0阻燃模制化合物外壳,色带表示阴极端极性。非常适合自动放置。

特色

  • 玻璃钝化托盘芯片接头
  • 低反向电流
  • 软恢复特性
  • 快速反向恢复时间
BYG21M-E3/TR所属分类:单整流二极管,BYG21M-E3/TR 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BYG21M-E3/TR价格参考¥0.694594,你可以下载 BYG21M-E3/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BYG21M-E3/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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