9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR500100CT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR500100CT参考价格0.778美元。GeneSiC半导体MBR500100CT封装/规格：二极管模块100V 250A 2功率。您可以下载MBR500100CT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR440MFST3G带有引脚细节，包括MBR440MF系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，零件别名如数据表注释所示，用于MBR440MFST3G，提供封装盒功能，如8-PowerTDFN、5引线，安装类型设计为表面安装，以及5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）供应商设备封装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为肖特基二极管，该器件提供800μA@40V电流反向泄漏Vr，该器件具有650mV@4A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为4A，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带用户指南的MBR460MFST1G，包括740mV@4A电压正向Vf Max。如果设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。该系列设计用于MBR460MF S以及MBR460MFST3G零件别名，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为8-PowerTDFN，5引线，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@60V，电流平均整流Io为4A。
带电路图的MBR460MFST3G，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在200μa@60V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，以及8 PowerTDFN，5引线封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，零件别名为MBR460MFST1G，该设备为MBR460 MFS系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为5-DFN，8-SO扁平导线（5x6），电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为740mV@4A。
