9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS8P3CHM3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS8P3CHM3/87A参考价格$4.006。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS8P3CHM3/87A封装/规格：二极管阵列肖特基30V TO277A。您可以下载SS8P3CHM3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS8P2L-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于肖特基整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.003527盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-277，3-PowerDFN封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用TO-277A（SMPC）供应商设备包提供，该设备具有单双阳极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@30V，电压正向Vf Max If为570mV@8A，电压反向Vr Max为20V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为330pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为0.57 V，Ir反向电流为200 uA，如果正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为20V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
SS8P2L-M3/86A是DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A，包括20 V Vrm重复反向电压，它们设计为在570 mV@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于20V的电压DC反向Vr Max，该电压提供了0.57 V等正向电压特性，该设备也可以用作TO-277A（SMPC）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为eSMPR系列，该设备具有肖特基整流器产品，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为200μA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，Ifs正向电流为8 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μA@30V，电流平均整流Io为8A，配置为单双阳极，电容Vr F为330pF@4V，1MHz。
SS8P2LHM3_A/I带电路图，包括330pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200μA@30V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为570mV@8A。
SS8P3CHM3/86A是VISHAY制造的二极管阵列肖特基30V TO277A。SS8P3CHM3/86A采用TO-277、3-PowerDFN封装，是二极管、整流器阵列的一部分，并支持二极管阵列肖特基30V TO277A、二极管阵列1对公共阴极肖特基30V4A表面贴装TO-277，3-PowerDFN、二极管肖特基30V7A汽车用3引脚（2+Tab）SMPC T/R。
