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MBR1050是DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO220AC，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于C0的零件别名，C0提供单位重量功能，如0.076192盎司，安装方式设计用于通孔，以及to-220-2封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220AC供应商器件包中提供，该器件具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@50V，电压正向Vf Max If为950mV@10A，电压反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为10A，电容Vr F为400pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围是-65 C，20 A时Vf正向电压为0.95 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为50V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
MBR1045ULPS-TP是DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277B，包括45V Vrm重复反向电压，它们设计为在470mV@10A正向电压Vf Max的情况下工作。如果数据表注释中显示了用于45V的直流反向电压Vr Max，提供0.47V等正向电压特性，技术设计为在Si中工作，以及to-277B供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MBR1045U，该器件为肖特基整流器产品，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55C，它的最大工作温度范围为+150℃，Ifsm正向浪涌电流为275 A，Ifs正向电流为0.43 V，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μA@45V，电流平均整流Io为10A，配置为单级。
MBR1045TG，带有ON制造的电路图。MBR1045TGTO-220封装，是IC芯片的一部分。
