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MBR1560STR带有引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于to-277、3功率DFN封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如to-277B,速度设计用于快速恢复=20mA(Io),以及肖特基二极管类型,该器件还可以用作200μA@60V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为590mV@15A,该器件提供60V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有15A电流平均整流Io,电容Vr F为850pF@5V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
MBR1560CT-E3/45是二极管阵列肖特基60V TO220AB,包括60V Vrm重复反向电压,它们设计为在7.5 a Vf正向电压下以0.75 V工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.065257盎司,提供Si等技术特性,系列设计用于MBRx15xxCT,以及肖特基整流器产品,该装置也可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-220-3,器件采用通孔安装方式,其最低工作温度范围为-65℃,最高工作温度范围+150℃,Ir反向电流为1000 uA,Ifsm正向浪涌电流为150 A,Ifs正向电流为15 A,配置为双共阴极。
MBR1560CT是二极管阵列肖特基60V TO220AB,包括双共阴极配置,它们设计为在15 a的情况下工作,它的最低工作温度范围为-65℃,该设备也可以用作通孔安装型。此外,封装外壳为TO-220-3,该器件采用管式封装,该器件具有肖特基产品整流器,系列为MBR1560,技术为Si,单位重量为0.063493盎司,Vf正向电压为0.75 V(7.5 a),Vrm重复反向电压为60 V。