9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS8PH10HM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS8PH10HM3_A/H价格参考$6.66000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS8PH10HM3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A。您可以下载SS8PH10HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SS8PH10HM3_A/H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SS8PH10-E3/87A是DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于to-277，3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@100V，该器件提供900mV@8A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
SS8PH10-E3/86A是DIODE SCHOTKY 100V 8A TO277A，包括900mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该器件也可用作TO-277，3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为8A。
SS8P9-M3/86A，带有VISHAY制造的电路图。SS8P9-M3/86A采用TO-277A（SMPC）封装，是IC芯片的一部分。
