1N914B

Name: 1N914B
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 6954379-1N914B
Price: 0.165862 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:二极管种类: 标准最大直流反向电压 (Vr): 100伏整流平均值 (Io): 200毫安反向恢复时长 (trr): 4纳秒供应商设备包装: DO-35 工作结温: -65摄氏度~175摄氏度
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:2-3 工作日

渠道:

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100+	0.15427	15.42740
500+	0.14413	72.06700
1000+	0.13689	136.89100

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规格参数

部件状态可供货
制造厂商安盛美 (onsemi)
速度小信号=＜200毫安（Io），任何速度
整流平均值 (Io) 200毫安
二极管种类标准
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1 V @ 100 mA
最大直流反向电压 (Vr) 100伏
反向恢复时长 (trr) 4纳秒
工作结温 -65摄氏度~175摄氏度
反向漏电流 @ 直流反向电压 5 A @ 75 V
电容@Vr、法数 4皮法 @ 0V, 1MHz
安装类别通孔
包装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向
供应商设备包装 DO-35
特点 -

1N914B 产品详情

1N914B是一种通用的高电导快速小信号二极管，也适用于许多不同的应用。

特色

300mA直流正向电流
400mA重现峰值正向电流
500mW功耗
300°C/W结对环境热阻
1MHz时为4pF总电容

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型号	制造商	描述	价格
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1N975B-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 39伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.44951
1N971BE3/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 27伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥18.25211
1N970B/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 24伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N984B/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 91 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N966BE3	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 16伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N980B/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 62 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N967BE3/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 18伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥24.87951
1N959B TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ）	¥0.56806