9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1K-E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1K-E3/61T参考价格为0.39000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1K-E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC。您可以下载S1K-E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1K-E3/5AT是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括S1x系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供部件别名功能，如S1K-E3/61T，单位重量设计为0.00739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为800V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为1800ns。
S1KB-13-F是DIODE GEN PURP 800V 1A SMB，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.003280盎司，以及SMB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S1KB，该器件提供3μs反向恢复时间trr，该器件具有3000 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@800V，平均整流电流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1KBTR，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为SMB（DO-214AA），电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
