9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U1D-E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U1D-E3/61T参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U1D-E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载U1D-E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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U1D-E3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及DO-214AC，SMA封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为24ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.92 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为15ns。
U1D4B42，带有东芝制造的用户指南。U1D4B42采用SOP4封装，是IC芯片的一部分。
U1DB42，电路图由东芝制造。U1DB42采用SOP4封装，是IC芯片的一部分。
