9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IDB45E60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IDB45E60价格参考0.97000美元。Infineon Technologies IDB45E60封装/规格：整流器二极管，71A，600V。您可以下载IDB45E60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IDB30E120ATMA1是DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供PG-TO263-3等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.15V@30A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有50A（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为243ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
IDB30E60ATMA1是DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263，包括2V@30A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PG-TO263-3-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为126ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为52.3A（DC）。
IDB30E60是INFINEON制造的二极管GEN PURP 600V 52.3A TO263。IDB30E60提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管GEN PURP 600V 52.3A TO263。
