9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的S3J-AQ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3J-AQ参考价格为0.16040美元。Diotec半导体S3J-AQ封装/规格：DIODE STD SMC 600V 3A。您可以下载S3J-AQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3JHE3_A/H，带有引脚细节，包括S3J系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在600V时具有10μa的反向漏电Vr，正向电压Vf Max If为1.15V@2.5A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为2.5 us。
S3JHE3_A/I是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括1.15V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMC），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了2.5μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3J-M3/57T是DIODE GPP 3A 600V DO-214AB，包括60pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供2.5μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.15V@2.5A。
