9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V3F6-M3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V3F6-M3/H参考价格为0.45000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V3F6-M3/H封装/规格：3A、60V、SMF、TRENCH SKY RECT。。您可以下载V3F6-M3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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V3F418A400Y3GDP是18 VDC 42v 150pF.1 J的变阻器，包括V3F系列，它们设计用于MLV产品，类型如数据表注释所示，用于TransFeed多层陶瓷瞬态电压抑制器，提供卷轴等封装功能，终端样式设计用于SMD/SMT，以及TransFeed商品名，该器件也可以用作SMD/SMT安装。此外，高度为1.143 mm，设备长度为2.01 mm，设备宽度为1.25 mm，封装外壳为0805（2012公制），电容为150 pF，额定交流电压为13 VAC，额定直流电压为18 VDC，钳位电压为42 V，峰值浪涌电流为20 a，外壳代码为0805，外壳代码mm为2012，浪涌能量额定值为0.1J。
V3F418A400Y3GRP是18 VDC 42v 150pF.1 J的变阻器，包括1.25 mm宽，设计用于18 VDC额定电压DC，额定电压AC显示在数据表注释中，用于13 VAC，提供TransFeed多层陶瓷瞬态电压抑制器等类型功能，商品名设计用于TransFeed，以及SMD/SMT终端样式，该装置也可以用作0.1J浪涌能量额定值。此外，该系列为V3F，该器件以MLV产品提供，该器件具有20 a的峰值浪涌电流，包装为卷筒式，封装外壳为0805（2012公制），安装为SMD/SMT，长度为2.01 mm，高度为1.143 mm，钳位电压为42 V，外壳代码mm为2012，外壳代码为0805，电容为150 pF。
V3F418A400Y3GTP是18 VDC 42v 150pF.1 J的变阻器，包括150 pF电容，设计用于0805外壳代码，外壳代码mm显示在2012年使用的数据表注释中，提供42 V等钳位电压功能，高度设计用于1.143 mm，以及2.01 mm的长度，该设备还可以用作SMD/SMT安装。此外，包装箱为0805（2012公制），设备采用卷筒包装，设备峰值浪涌电流为20 a，产品为MLV，系列为V3F，浪涌能量额定值为0.1 J，终端类型为SMD/SMT，商品名为TransFeed，类型为TransFeed多层陶瓷瞬态电压抑制器，额定交流电压为13 VAC，额定电压DC为18VDC，宽度为1.25mm。
V3F418X500Y3GDP是变阻器18 VDC 50v 65pF.05 J，包括V3F系列，它们设计为与TransFeed多层陶瓷瞬态电压抑制器类型一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于TransFeed，提供SMD/SMT等终端样式功能，安装设计用于SMD/SMT，以及卷筒包装，该装置也可用作MLV产品。此外，电容为65 pF，器件提供50 V钳位电压，器件具有2012年的外壳代码mm，长度为2.01 mm，额定直流电压为18 VDC，峰值浪涌电流为15 a，额定交流电压为13 VAC，宽度为1.25 mm，高度为1.143 mm，封装外壳为0805（2012公制），外壳代码为0805，浪涌能量额定值为0.05J。
