9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IDV06S60C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IDV06S60C参考价格为2.05000美元。Infineon Technologies IDV06S60C包装/规格：肖特基整流器二极管。您可以下载IDV06S60C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IDV04S60CXKSA1，带有引脚细节，包括thinQ！？系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了to-220-2全封装中使用的封装盒，该封装盒提供了通孔等安装类型功能，供应商设备封装设计用于PG-TO220-2全封装，以及无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备也可以用作碳化硅肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50μA@600V，该器件提供1.9V@4A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为4A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为130pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
IDV05S60CXKSA1，带用户指南，包括1.7V@5A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PG-TO220-2全包的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io）！？，以及0ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-2全封装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为70μa@600V，电流平均整流Io为5A（DC），电容Vr F为240pF@1V，1MHz。
IDV02S60CXKSA1，带电路图，包括60pF@1V，1MHz电容Vr F，设计用于2A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr，如数据表注释所示，用于15μa@600V，提供二极管型功能，如碳化硅肖特基，安装型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备也可用作TO-220-2全包装包装箱。此外，包装是管状的，该设备以0ns反向恢复时间trr提供，该设备有一个薄Q！？速度为无恢复时间>500mA（Io），供应商设备包为PG-TO220-2全包，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.9V@2A。
IDV03S60CXKSA1，带EDA/CAD型号，包括管包装，设计用于to-220-2全包装包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供系列功能，如thinQ！？，二极管类型设计用于碳化硅肖特基以及PG-TO220-2全封装供应商器件封装，该器件也可用于无恢复时间>500mA（Io）速度。此外，电容Vr F为90pF@1V，1MHz，该器件提供600V电压DC反向Vr Max，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，电流平均整流Io为3A（DC），电流反向泄漏Vr为30μA@600V，电压正向Vf Max If为1.9V@3A，反向恢复时间trr为0ns。
