9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGP10D-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGP10D-E3/73参考价格为0.42000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGP10D-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载RGP10D-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RGP10D-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表注释中显示了RGP10D-E3/73中使用的零件别名，RGP10D-E4/73提供单位重量功能，如0.011640盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为150ns。
RGP10D-E3/53是DIODE SW 1A 200V 150NS DO204AL，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AL（DO-41）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及150ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
RGP10D-E3/23，带有VISHAY制造的电路图。RGP10D-E3/23采用DO-204AL封装，是IC芯片的一部分。
