9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N914-T50A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N914-T50A参考价格0.13000美元。onsemi 1N914-T50A包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35。您可以下载1N914-T50A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N914JAN是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于0.004833 oz单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-35等封装外壳功能，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@220V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@10mA，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
1N914BTR是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为200mA，而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
1N914BWT是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-79、SOD-523F封装外壳。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件以4ns反向恢复时间trr提供，该器件具有小信号=速度，供应商器件封装为SOD-523F，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
1N914BWS是DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F，包括表面安装型，它们设计为与标准二极管型一起工作。SOD-323F中使用的供应商设备包如数据表注释所示，提供小信号=等速度特性，包装箱设计为在SC-90、SOD-323F以及Digi-ReelR替代包装包装中工作，该器件还可以用作75V电压DC反向Vr Max。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@75V，该器件提供4pF@0V，1MHz电容Vr F，该器件具有4ns的反向恢复时间trr，电压正向Vf Max If为1V@100mA，电流平均整流Io为150mA，其工作温度结范围为150°C（Max）。
