9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N5624，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N5624价格参考1.20000美元。NTE Electronics，Inc 1N5624封装/规格：R-200 PRV 3A。您可以下载1N5624英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5623GP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AC、DO-15，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AC（DO-15），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@1000V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为0.5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为500ns。
1N5623是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL，包括1 kV Vr反向电压，它们设计为在1.6V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的电压DC反向Vr Max，提供了1.2 V等Vf正向电压特性，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及500ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作500ns恢复时间。此外，该产品是快速恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有a，轴向包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-165℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为25 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@1000V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@12V，1MHz。
1N5623GPHE3/54是二极管GEN PURP 1KV 1A DO204AC，包括25pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以500ns反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-204AC（DO-15），电压DC反向Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf最大值为1.2V@1A。
1N5623US是DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A，包括表面安装型，它们设计为与标准二极管型一起工作，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，a的封装盒，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，供应商设备包设计为在D-5A中工作，以及散装封装，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，反向恢复时间trr为500ns，该器件提供500nA@1000V电流反向泄漏Vr，该器件具有1A的电流平均整流Io，电容Vr F为15pF@12V，1MHz，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
