9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGP02-12E-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RGP02-12E-E3/73参考价格为0.62000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGP02-12E-E3/73包装/规格:DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA DO204。您可以下载RGP02-12E-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGP02-12E-E3/54是DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA DO204,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供RGP02-12E-03/73等零件别名功能,单位重量设计为0.011711盎司,除了通孔安装类型外,该设备还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-204AL(DO-41)供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@1200V,电压正向Vf Max If为1.8V@100mA,电压反向Vr Max为1200V(1.2kV),电流平均整流Io为500mA,反向恢复时间trr为300ns,其工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vf正向电压为1.8 V,Vr反向电压为1200 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为500mA,最大浪涌电流为20A,恢复时间为300ns。
RGP02-12E-E3/53,带用户指南,包括1.8V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在1200V(1.2kV)直流反向电压Vr Max下运行,数据表说明中显示了DO-204AL(DO-41)中使用的供应商设备包,该产品提供快速恢复=200mA(Io)等速度功能,以及300ns反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带盒(TB)封装。此外,封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@1200V,电流平均整流Io为500mA。
RGP02-12E是由GS制造的高压整流器二极管2DO-41。RGP02-12E可在DO-41封装中获得,是二极管、整流器-单个的一部分,并支持高压整流器二极管2D O-41。