9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CURM103-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CURM103-G参考价格为0.48000美元。Comchip Technology CURM103-G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A MINIMA。您可以下载CURM103-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CURC307-G是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于DO-214AB、SMC包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-214AA、（SMC），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.7V@3A，该设备提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为150°C（Max）。
CURM102-G是DIODE GEN PURP 100V 1A MINIMA，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于Mini-SMA/SOD-23的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件也可以用作SOD-123T封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A（DC），电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
CURM101-G是二极管GEN PURP 50V 1A MINIMA，包括20pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123T包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供50ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为Mini-SMA/SOD-23，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
