9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的RGL34G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGL34G参考价格为0.05930美元。Diotec Semiconductor RGL34G封装/规格：DIODE FR DO-213AA 400V 0.5A。您可以下载RGL34G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RGL34D-E3/83是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AA（玻璃），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-213A（GL34），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，该器件提供1.3V@500mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
RGL34D-E3/98是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213，包括1.3V@500MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-213AA（GL34）的供应商设备包，该DO-213AB提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AA（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
RGL34D/1，带电路图，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于500mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可以用作DO-213AA（玻璃）包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以150ns反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AA（GL34），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值If为1.3V@500mA。
RGL34DHE3/98是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，系列如数据表注释所示，用于SUPERECTIFIERR，提供二极管型功能，如标准、速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及DO-213AA（玻璃）封装盒，该器件也可用作DO-213AA（GL34）供应商器件包，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件在200V电流反向泄漏Vr时为5μA，该器件具有500mA电流平均整流Io，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，电压DC反向Vr Max为200V，反向恢复时间trr为150ns，正向电压Vf Max If为1.3V@500mA。
