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RGF1A-E3/67A是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-214BA,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-214B a(GF1),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@50V,该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果,该器件具有50V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为150ns,电容Vr F为8.5pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
RGF1AHE3/67A是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA,包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214BA(GF1)的供应商设备包,其提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,以及150ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-214BA,其工作温度结范围为-65°C~175°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@50V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为8.5pF@4V,1MHz。
RGF1A_NL,带有FAIRCHILD制造的电路图。RGF1A_NL采用SMA封装,是IC芯片的一部分。