9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N647，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N647参考价格$4.54000。NTE Electronics，Inc 1N647封装/规格：D-SI 400V.4A。您可以下载1N646英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N6469US，带有引脚细节，包括齐纳型，它们设计用于散装封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SMD/SMT等终端样式功能，长度设计为0.245英寸，宽度为0.202英寸，该设备也可用作SQ-MELF、G封装盒，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备为表面安装安装型，该设备具有通用用途，供应商设备包为G-MELF（D-5C），单向通道为1，电压反向间隔类型为5V，电压击穿最小值为5.6V，电压钳位最大值Ipp为9V，电流峰值脉冲10 1000μs为945A（8/20μs），功率峰值脉冲为1500W（1.5kW），电源线保护为No，Pd功耗为1.5kW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，击穿电压为5.6V，钳位电压为9V，峰值浪涌电流为167A，工作电压为5V，极性为单向。
1N6469是TVS DIODE 5VWM 9VC GPKG AXIAL，包括5V工作电压，它们设计为在4.7 mm宽的情况下工作，电压反向间隔类型如数据表注释所示，用于5V，提供电压钳位最大Ipp功能，如9V，电压击穿最小值设计为5.6V，以及1个单向信道，该设备也可以用作齐纳型。此外，终端类型为轴向，设备采用轴向供应商设备包装，设备具有1500W（1.5kW）的功率峰值脉冲，电源线保护为否，极性为单向，峰值浪涌电流为167A，Pd功耗为1.5kW，包装为散装，包装箱为G，轴向，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装方式为通孔，安装类型为通孔。它的最低工作温度范围是-65°C，最大工作温度范围+175°C，长度为9.53 mm，电流峰值脉冲1000μs为945A（8/20μs），钳位电压为9 V，击穿电压为5.6 V，应用程序是通用的。
1N6468US是TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC BMELF，包括通用应用，它们设计为在54 V击穿电压下工作，钳位电压显示在数据表注释中，用于78.5 V，提供电流峰值脉冲10 1000μs功能，如35A（8/20μs），长度设计为在5.72 mm内工作，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件采用SQ-MELF，B封装盒，该器件具有大量封装，Pd功耗为500W，峰值浪涌电流为6A，极性为单向，电源线保护为否，功率峰值脉冲为500W，供应商器件封装为B，SQ-MELF，终端类型为SMD/SMT，类型为齐纳，单向通道为1，电压击穿最小值为54V，电压钳位最大值Ipp为78.5V，电压反向间隔Typ为51.6V，宽度为3.76mm，工作电压为51.6V。
1N646UR-1，带有Microsemi制造的EDA/CAD模型。是TVS二极管的一部分，并支持TVS二极管-瞬态电压抑制器标准整流器（trr大于500ns），二极管。
